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【收评】锰硅日内上涨0.44%机构称锰硅上行驱动不足，短期期价震荡运行_我的网站

A |     8月24日消息，美光HBM设计架构研究员拉古·斯里拉马内尼在8月23日斯坦福大学举办的Hot Chips 2026半导体会议上警告，内存墙依然存在，且情况还在恶化。          所谓内存墙，是指GPU速度不断提升，但存储数据的高带宽内存却无法跟上其速度而导致的瓶颈。    行情表现8月26日收盘价当日涨跌幅五日涨跌幅锰硅5980.00元/吨0.44%0.98%数据来源：同花顺iFinD品种基本面据同花顺iFinD数据显示：8月21日锰硅库存录得614.00万吨，较上一交易日增加35.50万吨。机构观点光大期货：锰硅上行驱动不足，短期期价震荡运行周二，锰硅期价震荡走强，主力合约报收5968元/吨，环比上涨0.24%，主力合约持仓环比下降10168手至40.03万手。    会议展示的最新HBM封装技术上，两颗GPU与八颗12层HBM4集成于一体，其中约90%半导体面积都用于存储，存储面积是GPU的8倍多。

B | 钢联数据显示，各地区6517锰硅市场价约5750-5930元/吨，内蒙古地区较前一日上调30元/吨。芯片内部空间几乎全被存储占据，这正是用面积换带宽所付出的代价，也是内存墙问题日益严峻的直观体现。     拉古指出，AI加速器计算性能以每两年3倍速度发展，但同期HBM发展速度不到每两年2倍。

C | 昨日黑色板块整体走势有所分化，锰硅期价重心...。这解释了高带宽内存为何还是喂不饱GPU，无论计算设备速度多快，数据通道狭窄终将因供给过慢而停滞。    硬件上，当前HBM制造相同存储容量消耗的晶圆数量约为普通DDR5的3倍。拉古强调，技术升级越快芯片尺寸越大、堆叠层数越多，这一差距还在扩大，内存行业将持续面临短缺。     散热方面，HBM是多层堆叠结构，底层产生的热量最多，但热量必须穿透所有堆叠层才能到达顶部的冷却系统，这使得散热效率大打折扣，液冷和芯片超薄技术正提供解决方案。

D |     拉古表示，HBM的挑战需要内存厂商、GPU设计商、代工厂和封装厂商共同协作才能解决。                   

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Published on:07:47:39